IPB

Здравствуйте, гость ( Вход | Регистрация )

2 страниц V   1 2 >  
Ответить в данную темуНачать новую тему
> Дешевые силовые БТ, 30-50 А, 600-900 В
Burner
сообщение 8.8.2010, 19:16
Сообщение #1


Активный участник
***

Группа: шизо
Сообщений: 1464
Регистрация: 17.1.2010
Из: Винница
Пользователь №: 84



Да, нужно еще не очень большое время рассасывания заряда в базе.
Продаются ли такие? Я сильно подозреваю, что нет. 
Я как-то хотел сделать преобразователь на ESBT, нашел только MJE13009. Он вроде держит с ОБ нужное напряжение, и неплохой по скорости, однако ток - ампер до 12. Маловато. А параллелить - может сильно помешать разное время рассасывания в транзисторах. Можно, конечно, делать много модулей, однако это неоправданно усложнит конструкцию. Настолько, что она для меня теряет смысл.

У ST  есть 50-амперные уже готовые ESBT на 50 ампер, 1,5 кВ, но стоят за сотню гривен.
Перейти в начало страницы
 
+Цитировать сообщение
orthodox
сообщение 8.8.2010, 19:23
Сообщение #2


ДИКТАТОР
Иконка группы

Группа: Мод
Сообщений: 23809
Регистрация: 20.11.2009
Из: Житомир
Пользователь №: 3



Дык, по эмиттеру управлять надо, тогда рассасывание в базе в других условиях идет и получается меньше...
Опять же, прямоугольность SOA лучше...

Чем IGBT не устраивают? если тем же временем, то в БТ только управление по эмитттеру, низковольтным CMOS...
Перейти в начало страницы
 
+Цитировать сообщение
Гость_Максим Зиновьев_*
сообщение 8.8.2010, 19:28
Сообщение #3





Гости






Burner, есть смысл обратить внимание на црт-телевизионные хоризонтал оутпут транзистор. Параллелить их легко, управляя по эмиттеру.

Если в эмиттеры вкрячить по низковольтному дешевому мощному полевику, то и получится "распределенный" есбт
Перейти в начало страницы
 
+Цитировать сообщение
Burner
сообщение 8.8.2010, 19:38
Сообщение #4


Активный участник
***

Группа: шизо
Сообщений: 1464
Регистрация: 17.1.2010
Из: Винница
Пользователь №: 84



ЕСБТ - это по эмиттеру и есть.
IRG4PF50W вроде как довольно подходящий - так даже он не нравится как раз потерями переключения. Да еще хвост отрастает с температурой. Экви время потерь более 0,15 мкс. Чтой-то не верится, что управление им по эмиттеру заметно поможет. А у ЕСБТ от ST - 0,05 мкс. Разница чувствуется. В схеме ОБ, однако, рассасывание не пропадает. С этой точки зрения высоковольтные БТ куда тупее ИЖБТ. Можно запросто получить задержку выключения с ОБ 1-2 и более мкс. Просто это уже забылось, поскольку люди юзают ИЖБТ.
1) Высоковольтный БТ открывается далеко не мгновенно. Для скорости в базу загоняют ток до 0,5-1 коллекторного.
2) Чтоб иметь небольшое напряжение в открытом состоянии, БТ удерживают в насыщении.
Ессно, этот заряд из базы так просто не пропадет, посему получить короткий импульс тока в ЕСБТ не очень просто.
Когда нижний полевик закрывается, колекторный ток идет в землю через базу. Пока заряд из нее не рассосется.
Пусть мы имеем в параллель несколько ЕСБТ с одной индуктивной нагрузкой.
Закрываем нижние полевики хором. Ессно, они дружно закрываются(ну разброс 10-20 нс). Ток нагрузки проходит через коллекторы и базы. Заряд кончается в одной базе, второй, третьей.. ток идет примерно тот же. В конце остается одна база, через которую идет весь ток нагрузки. Мне кажется, это снизит надежность такой схемы.
Обеспечить одинаковое время рассасывания в БТ мне кажется слишком трудным делом. Правда, снаббер должен облегчить режим последнего транзистора.
Можно, конечно, присобачить проц, который бы подгонял в процессе базовые токи кажному БТ персонально.. Имел бы модель этого дела и корректировал ее в процессе smile.gif
Перейти в начало страницы
 
+Цитировать сообщение
orthodox
сообщение 8.8.2010, 19:40
Сообщение #5


ДИКТАТОР
Иконка группы

Группа: Мод
Сообщений: 23809
Регистрация: 20.11.2009
Из: Житомир
Пользователь №: 3



Цитата(Burner @ 8.8.2010, 20:38) *
ЕСБТ - это по эмиттеру и есть.
IRG4PF50W вроде как довольно подходящий так - как раз потерями переключения. Да еще хвост отрастает с температурой. Экви время потерь более 0,15 мкс. Чтой-то не верится, что управление им по эмиттеру заметно поможет. А у ЕСБТ от ST - 0,05 мкс. Разница чувствуется. В схеме ОБ, однако, рассасывание не пропадает. С этой точки зрения высоковольтные БТ куда тупее ИЖБТ. Можно запросто получить задержку выключения с ОБ 1-2 и более мкс. Просто это уже забылось, поскольку люди юзают ИЖБТ.
1) Высоковольтный БТ открывается далеко не мгновенно. Для скорости в базу загоняют ток до 0,5-1 коллекторного.


Я имел в виду управление по эмиттеру БТ, а не IGBT,
поправил предыдущий пост.
Цитата
2) Чтоб иметь небольшое напряжение в открытом состоянии, БТ удерживают в насыщении.
Ессно, этот заряд из базы так просто не пропадет, посему получить короткий импульс тока в ЕСБТ не очень просто.

Да, там все непросто. Так и было раньше.
разные были фокусы для этой проблемы, например - параллельный быстрый CMOS даже предлагался, чтобы придержать нарастание напряжения пока биполярный не закроется. Но раз сейчас сравнивают с IGBT- наверное, ограничения насыщения диодом можно было попробовать. С базового делителя на коллектор, кажется Вы уже это делали... шоттки там не пойдут, потому вот так. Все равно насыщение будет лучше, чем у IGBT, наверное.
Перейти в начало страницы
 
+Цитировать сообщение
Гость_Максим Зиновьев_*
сообщение 8.8.2010, 19:42
Сообщение #6





Гости






При управлении по эмиттеру откуда взяться "хвосту"?
Писал уже где-то, биполяры - это гибкий инструмент, гораздо гибче игбт, нужно правильно управлять научиться. По эмиттеру, пропорционально-токово, например.
Перейти в начало страницы
 
+Цитировать сообщение
orthodox
сообщение 8.8.2010, 19:48
Сообщение #7


ДИКТАТОР
Иконка группы

Группа: Мод
Сообщений: 23809
Регистрация: 20.11.2009
Из: Житомир
Пользователь №: 3



Цитата(Burner @ 8.8.2010, 20:38) *
Заряд кончается в одной базе, второй, третьей.. ток идет примерно тот же. В конце остается одна база, через которую идет весь ток нагрузки. Мне кажется, это снизит надежность такой схемы.

По моему, ток не будет одним и тем же.
Хвосты тока - это когда он снижается плавно,
то есть при индуктивной нагрузке напряжение уже будет максимальным, а ток будет снижаться...
Перейти в начало страницы
 
+Цитировать сообщение
Burner
сообщение 8.8.2010, 20:50
Сообщение #8


Активный участник
***

Группа: шизо
Сообщений: 1464
Регистрация: 17.1.2010
Из: Винница
Пользователь №: 84



Хвост - у ИЖБТ.
Насчет неодинакового тока - Вы считаете, что у БТ с общей базой и закрытым эмиттерным транзистором ток падает довольно плавно? Ток нагрузки фиксируется индуктивностью, и если ток транзистора хоть немного уменьшится от него - только тогда напряжение может возрасти, до кламперного, клампер откроется, и в него пойдет излишек тока. Но ведь это дает большие потери.
Я щас не очень соображаю. Я думал, что ток при окончании заряда падает очень резко - в пределах тех же 50-100 нс, и напряжение растет практически от пары вольт до кламперного примерно в это же время?

Просто диодом с коллектора ограничить насыщение имхо не получится - там задержка сигнала с базы на коллектор с 0,5 мкс(?), могут получиться колебания.
Перейти в начало страницы
 
+Цитировать сообщение
Гость_Максим Зиновьев_*
сообщение 8.8.2010, 20:59
Сообщение #9





Гости






Цитата
Хвост - у ИЖБТ.

Да это ясно.
Всё из-за того, что в игбт биполяр не может быть в насыщении, или вернее, в контролируемом ключевом режиме (см. эквивалентную схему), как и составной Дарлингтона - невозможно контролируемо инжектировать заряды в базу и контролируемо его, ток базы, "рассасывать" (не обвесив им. Дарлингтона мелкими резисторами, до базы последнего тр-ра). Отсюда "хвосты" и хреново со скоростью переключения.
Ну и тов. Миллер во всей красе... Думаю, игбт отомрут как класс, со временем, по неудачности.
Перейти в начало страницы
 
+Цитировать сообщение
orthodox
сообщение 8.8.2010, 21:08
Сообщение #10


ДИКТАТОР
Иконка группы

Группа: Мод
Сообщений: 23809
Регистрация: 20.11.2009
Из: Житомир
Пользователь №: 3



Цитата(Burner @ 8.8.2010, 21:50) *
Насчет неодинакового тока - Вы считаете, что у БТ с общей базой и закрытым эмиттерным транзистором ток падает довольно плавно? Ток нагрузки фиксируется индуктивностью, и если ток транзистора хоть немного уменьшится от него - только тогда напряжение может возрасти, до кламперного, клампер откроется, и в него пойдет излишек тока. Но ведь это дает большие потери.

Ну да, так и происходит.
именно за эти потери при полном напряжении и спадающем токе мы их и не любим.
А чем БТ должен отличаться в этом плане?

Форма всегда похожа, просто общая длительность сокращается при управлении по эмиттеру...
Перейти в начало страницы
 
+Цитировать сообщение
Burner
сообщение 8.8.2010, 21:15
Сообщение #11


Активный участник
***

Группа: шизо
Сообщений: 1464
Регистрация: 17.1.2010
Из: Винница
Пользователь №: 84



Ток дожен быстро падать. Чтобы иметь потери переключения здорово меньше, чем в ИЖБТ. Иначе - никакого смысла.
При нашей жизни не отомрут smile.gif Им покуда не видать реальной альтернативы, особенно в трехфазных приводах. Слишком удобные и дешевые при приемлимых параметрах.
Мощные полевики - просто дорогие.
Ну вот если бы изобрели гибрид с активным рассасыванием - это был бы совсем другой разговор smile.gif
Перейти в начало страницы
 
+Цитировать сообщение
Гость_Максим Зиновьев_*
сообщение 8.8.2010, 21:25
Сообщение #12





Гости






Цитата
Ну вот если бы изобрели гибрид с активным рассасыванием - это был бы совсем другой разговор smile.gif


Имхо, прогресс для приводов в запираемых тиристорах smile.gif
Недавно делал аналог на нпн-пнп.. работает, сволочь! (не привод, правда, делал) smile.gif
Перейти в начало страницы
 
+Цитировать сообщение
orthodox
сообщение 8.8.2010, 21:52
Сообщение #13


ДИКТАТОР
Иконка группы

Группа: Мод
Сообщений: 23809
Регистрация: 20.11.2009
Из: Житомир
Пользователь №: 3



Цитата(Burner @ 8.8.2010, 22:15) *
Ну вот если бы изобрели гибрид с активным рассасыванием - это был бы совсем другой разговор smile.gif

есть же подобие IGBT с эмиттерным управлением.
Но Вам, наверное, не понравится...
Перейти в начало страницы
 
+Цитировать сообщение
Burner
сообщение 8.8.2010, 22:05
Сообщение #14


Активный участник
***

Группа: шизо
Сообщений: 1464
Регистрация: 17.1.2010
Из: Винница
Пользователь №: 84



Что это за подобие? ЕСБТ с токовым трансом? Так его я имел в виду изначально.
Перейти в начало страницы
 
+Цитировать сообщение
Гость_Максим Зиновьев_*
сообщение 8.8.2010, 22:11
Сообщение #15





Гости






Лучше, имхо, пэдеэфину аппнот есбт вложить, откуда-то с стмикроэлектроникс.

А то вы как-то.. не договоритесь всё.. smile.gif
Перейти в начало страницы
 
+Цитировать сообщение
orthodox
сообщение 8.8.2010, 22:21
Сообщение #16


ДИКТАТОР
Иконка группы

Группа: Мод
Сообщений: 23809
Регистрация: 20.11.2009
Из: Житомир
Пользователь №: 3



Цитата(Максим Зиновьев @ 8.8.2010, 23:11) *
Лучше, имхо, пэдеэфину аппнот есбт вложить, откуда-то с стмикроэлектроникс.

А то вы как-то.. не договоритесь всё.. smile.gif

Да не помню я , где видел их и даже как называются...
Помню, что вывод базы отдельный , лишняя нога...

Просто решил, что оно не надо из за цены, и тогда уж сразу лучше БТ и CMOS спарить развесом.
Перейти в начало страницы
 
+Цитировать сообщение
Гость_Максим Зиновьев_*
сообщение 8.8.2010, 22:30
Сообщение #17





Гости






Цитата
и тогда уж сразу лучше БТ и CMOS спарить развесом.

Согласен. Особенно если ток ключа "набирать". Эр_дс_он - будет выравнивающим резистором, нахаляву, тсз.

А цена, думаю, снизится - надо время для распеаривания хорошей штучки.

Цитата
Да не помню я, ...

Коллега, запятая после "не" не пропущена? smile.gif

Ссылка на датащитец, зверюгу звать Hybrid emitter switched bipolar transistor
ESBT® 2200V - 7A - 0.07 Ohm power module http://www.st.com/stonline/products/litera.../ste07de220.pdf
Перейти в начало страницы
 
+Цитировать сообщение
Burner
сообщение 8.8.2010, 23:18
Сообщение #18


Активный участник
***

Группа: шизо
Сообщений: 1464
Регистрация: 17.1.2010
Из: Винница
Пользователь №: 84



Тот на 50А был в четырехногом Super TO247. Но тоже ихний.
Кстати, о потерях переключения здесь ничего не написали.
IR в свое время тож провозились намало со своими деталюшками. Они ведь не просто делали детальки, но и активно исследовали их применение.
Пара лет работы - и у SТ из этого получится чего-нить толковое. Хай они сбацают на нем хоть киловаттный модуль с КПД повыше, работающий от 380 В.
Перейти в начало страницы
 
+Цитировать сообщение
Гость_Максим Зиновьев_*
сообщение 8.8.2010, 23:25
Сообщение #19





Гости






Ага, я уж потом понял, что неудачный датащитец привёл - свитчёвые параметры "т.б.д.".

Кстати, как эту аббревиатуру расшифровать? Нутром чую, что они хотели сказать "мы сами пока не знаем" lol.gif

Цитата
Тот на 50А был в четырехногом Super TO247
чёт мне кажется, что есть доля лукавства - 50 А, в "прижимном" 247 корпусе... Мож он меньше киловольта был коллектор-соурс?
Перейти в начало страницы
 
+Цитировать сообщение
orthodox
сообщение 8.8.2010, 23:27
Сообщение #20


ДИКТАТОР
Иконка группы

Группа: Мод
Сообщений: 23809
Регистрация: 20.11.2009
Из: Житомир
Пользователь №: 3



Цитата(Максим Зиновьев @ 8.8.2010, 23:30) *
Ссылка на датащитец, зверюгу звать Hybrid emitter switched bipolar transistor
ESBT® 2200V - 7A - 0.07 Ohm power module http://www.st.com/stonline/products/litera.../ste07de220.pdf

Что, померить времена не успели еще?
Поторопились сразу публиковать даташит?
Перейти в начало страницы
 
+Цитировать сообщение

2 страниц V   1 2 >
Ответить в данную темуНачать новую тему
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 



Текстовая версия Сейчас: 28.3.2024, 14:09