Дешевые силовые БТ, 30-50 А, 600-900 В |
Здравствуйте, гость ( Вход | Регистрация )
Дешевые силовые БТ, 30-50 А, 600-900 В |
8.8.2010, 19:16
Сообщение
#1
|
|
Активный участник Группа: шизо Сообщений: 1464 Регистрация: 17.1.2010 Из: Винница Пользователь №: 84 |
Да, нужно еще не очень большое время рассасывания заряда в базе.
Продаются ли такие? Я сильно подозреваю, что нет. Я как-то хотел сделать преобразователь на ESBT, нашел только MJE13009. Он вроде держит с ОБ нужное напряжение, и неплохой по скорости, однако ток - ампер до 12. Маловато. А параллелить - может сильно помешать разное время рассасывания в транзисторах. Можно, конечно, делать много модулей, однако это неоправданно усложнит конструкцию. Настолько, что она для меня теряет смысл. У ST есть 50-амперные уже готовые ESBT на 50 ампер, 1,5 кВ, но стоят за сотню гривен. |
|
|
8.8.2010, 19:23
Сообщение
#2
|
|
ДИКТАТОР Группа: Мод Сообщений: 23809 Регистрация: 20.11.2009 Из: Житомир Пользователь №: 3 |
Дык, по эмиттеру управлять надо, тогда рассасывание в базе в других условиях идет и получается меньше...
Опять же, прямоугольность SOA лучше... Чем IGBT не устраивают? если тем же временем, то в БТ только управление по эмитттеру, низковольтным CMOS... |
|
|
Гость_Максим Зиновьев_* |
8.8.2010, 19:28
Сообщение
#3
|
Гости |
Burner, есть смысл обратить внимание на црт-телевизионные хоризонтал оутпут транзистор. Параллелить их легко, управляя по эмиттеру.
Если в эмиттеры вкрячить по низковольтному дешевому мощному полевику, то и получится "распределенный" есбт |
|
|
8.8.2010, 19:38
Сообщение
#4
|
|
Активный участник Группа: шизо Сообщений: 1464 Регистрация: 17.1.2010 Из: Винница Пользователь №: 84 |
ЕСБТ - это по эмиттеру и есть.
IRG4PF50W вроде как довольно подходящий - так даже он не нравится как раз потерями переключения. Да еще хвост отрастает с температурой. Экви время потерь более 0,15 мкс. Чтой-то не верится, что управление им по эмиттеру заметно поможет. А у ЕСБТ от ST - 0,05 мкс. Разница чувствуется. В схеме ОБ, однако, рассасывание не пропадает. С этой точки зрения высоковольтные БТ куда тупее ИЖБТ. Можно запросто получить задержку выключения с ОБ 1-2 и более мкс. Просто это уже забылось, поскольку люди юзают ИЖБТ. 1) Высоковольтный БТ открывается далеко не мгновенно. Для скорости в базу загоняют ток до 0,5-1 коллекторного. 2) Чтоб иметь небольшое напряжение в открытом состоянии, БТ удерживают в насыщении. Ессно, этот заряд из базы так просто не пропадет, посему получить короткий импульс тока в ЕСБТ не очень просто. Когда нижний полевик закрывается, колекторный ток идет в землю через базу. Пока заряд из нее не рассосется. Пусть мы имеем в параллель несколько ЕСБТ с одной индуктивной нагрузкой. Закрываем нижние полевики хором. Ессно, они дружно закрываются(ну разброс 10-20 нс). Ток нагрузки проходит через коллекторы и базы. Заряд кончается в одной базе, второй, третьей.. ток идет примерно тот же. В конце остается одна база, через которую идет весь ток нагрузки. Мне кажется, это снизит надежность такой схемы. Обеспечить одинаковое время рассасывания в БТ мне кажется слишком трудным делом. Правда, снаббер должен облегчить режим последнего транзистора. Можно, конечно, присобачить проц, который бы подгонял в процессе базовые токи кажному БТ персонально.. Имел бы модель этого дела и корректировал ее в процессе |
|
|
8.8.2010, 19:40
Сообщение
#5
|
|
ДИКТАТОР Группа: Мод Сообщений: 23809 Регистрация: 20.11.2009 Из: Житомир Пользователь №: 3 |
ЕСБТ - это по эмиттеру и есть. IRG4PF50W вроде как довольно подходящий так - как раз потерями переключения. Да еще хвост отрастает с температурой. Экви время потерь более 0,15 мкс. Чтой-то не верится, что управление им по эмиттеру заметно поможет. А у ЕСБТ от ST - 0,05 мкс. Разница чувствуется. В схеме ОБ, однако, рассасывание не пропадает. С этой точки зрения высоковольтные БТ куда тупее ИЖБТ. Можно запросто получить задержку выключения с ОБ 1-2 и более мкс. Просто это уже забылось, поскольку люди юзают ИЖБТ. 1) Высоковольтный БТ открывается далеко не мгновенно. Для скорости в базу загоняют ток до 0,5-1 коллекторного. Я имел в виду управление по эмиттеру БТ, а не IGBT, поправил предыдущий пост. Цитата 2) Чтоб иметь небольшое напряжение в открытом состоянии, БТ удерживают в насыщении. Ессно, этот заряд из базы так просто не пропадет, посему получить короткий импульс тока в ЕСБТ не очень просто. Да, там все непросто. Так и было раньше. разные были фокусы для этой проблемы, например - параллельный быстрый CMOS даже предлагался, чтобы придержать нарастание напряжения пока биполярный не закроется. Но раз сейчас сравнивают с IGBT- наверное, ограничения насыщения диодом можно было попробовать. С базового делителя на коллектор, кажется Вы уже это делали... шоттки там не пойдут, потому вот так. Все равно насыщение будет лучше, чем у IGBT, наверное. |
|
|
Гость_Максим Зиновьев_* |
8.8.2010, 19:42
Сообщение
#6
|
Гости |
При управлении по эмиттеру откуда взяться "хвосту"?
Писал уже где-то, биполяры - это гибкий инструмент, гораздо гибче игбт, нужно правильно управлять научиться. По эмиттеру, пропорционально-токово, например. |
|
|
8.8.2010, 19:48
Сообщение
#7
|
|
ДИКТАТОР Группа: Мод Сообщений: 23809 Регистрация: 20.11.2009 Из: Житомир Пользователь №: 3 |
Заряд кончается в одной базе, второй, третьей.. ток идет примерно тот же. В конце остается одна база, через которую идет весь ток нагрузки. Мне кажется, это снизит надежность такой схемы. По моему, ток не будет одним и тем же. Хвосты тока - это когда он снижается плавно, то есть при индуктивной нагрузке напряжение уже будет максимальным, а ток будет снижаться... |
|
|
8.8.2010, 20:50
Сообщение
#8
|
|
Активный участник Группа: шизо Сообщений: 1464 Регистрация: 17.1.2010 Из: Винница Пользователь №: 84 |
Хвост - у ИЖБТ.
Насчет неодинакового тока - Вы считаете, что у БТ с общей базой и закрытым эмиттерным транзистором ток падает довольно плавно? Ток нагрузки фиксируется индуктивностью, и если ток транзистора хоть немного уменьшится от него - только тогда напряжение может возрасти, до кламперного, клампер откроется, и в него пойдет излишек тока. Но ведь это дает большие потери. Я щас не очень соображаю. Я думал, что ток при окончании заряда падает очень резко - в пределах тех же 50-100 нс, и напряжение растет практически от пары вольт до кламперного примерно в это же время? Просто диодом с коллектора ограничить насыщение имхо не получится - там задержка сигнала с базы на коллектор с 0,5 мкс(?), могут получиться колебания. |
|
|
Гость_Максим Зиновьев_* |
8.8.2010, 20:59
Сообщение
#9
|
Гости |
Цитата Хвост - у ИЖБТ. Да это ясно. Всё из-за того, что в игбт биполяр не может быть в насыщении, или вернее, в контролируемом ключевом режиме (см. эквивалентную схему), как и составной Дарлингтона - невозможно контролируемо инжектировать заряды в базу и контролируемо его, ток базы, "рассасывать" (не обвесив им. Дарлингтона мелкими резисторами, до базы последнего тр-ра). Отсюда "хвосты" и хреново со скоростью переключения. Ну и тов. Миллер во всей красе... Думаю, игбт отомрут как класс, со временем, по неудачности. |
|
|
8.8.2010, 21:08
Сообщение
#10
|
|
ДИКТАТОР Группа: Мод Сообщений: 23809 Регистрация: 20.11.2009 Из: Житомир Пользователь №: 3 |
Насчет неодинакового тока - Вы считаете, что у БТ с общей базой и закрытым эмиттерным транзистором ток падает довольно плавно? Ток нагрузки фиксируется индуктивностью, и если ток транзистора хоть немного уменьшится от него - только тогда напряжение может возрасти, до кламперного, клампер откроется, и в него пойдет излишек тока. Но ведь это дает большие потери. Ну да, так и происходит. именно за эти потери при полном напряжении и спадающем токе мы их и не любим. А чем БТ должен отличаться в этом плане? Форма всегда похожа, просто общая длительность сокращается при управлении по эмиттеру... |
|
|
8.8.2010, 21:15
Сообщение
#11
|
|
Активный участник Группа: шизо Сообщений: 1464 Регистрация: 17.1.2010 Из: Винница Пользователь №: 84 |
Ток дожен быстро падать. Чтобы иметь потери переключения здорово меньше, чем в ИЖБТ. Иначе - никакого смысла.
При нашей жизни не отомрут Им покуда не видать реальной альтернативы, особенно в трехфазных приводах. Слишком удобные и дешевые при приемлимых параметрах. Мощные полевики - просто дорогие. Ну вот если бы изобрели гибрид с активным рассасыванием - это был бы совсем другой разговор |
|
|
Гость_Максим Зиновьев_* |
8.8.2010, 21:25
Сообщение
#12
|
Гости |
Цитата Ну вот если бы изобрели гибрид с активным рассасыванием - это был бы совсем другой разговор Имхо, прогресс для приводов в запираемых тиристорах Недавно делал аналог на нпн-пнп.. работает, сволочь! (не привод, правда, делал) |
|
|
8.8.2010, 21:52
Сообщение
#13
|
|
ДИКТАТОР Группа: Мод Сообщений: 23809 Регистрация: 20.11.2009 Из: Житомир Пользователь №: 3 |
|
|
|
8.8.2010, 22:05
Сообщение
#14
|
|
Активный участник Группа: шизо Сообщений: 1464 Регистрация: 17.1.2010 Из: Винница Пользователь №: 84 |
Что это за подобие? ЕСБТ с токовым трансом? Так его я имел в виду изначально.
|
|
|
Гость_Максим Зиновьев_* |
8.8.2010, 22:11
Сообщение
#15
|
Гости |
Лучше, имхо, пэдеэфину аппнот есбт вложить, откуда-то с стмикроэлектроникс.
А то вы как-то.. не договоритесь всё.. |
|
|
8.8.2010, 22:21
Сообщение
#16
|
|
ДИКТАТОР Группа: Мод Сообщений: 23809 Регистрация: 20.11.2009 Из: Житомир Пользователь №: 3 |
Лучше, имхо, пэдеэфину аппнот есбт вложить, откуда-то с стмикроэлектроникс. А то вы как-то.. не договоритесь всё.. Да не помню я , где видел их и даже как называются... Помню, что вывод базы отдельный , лишняя нога... Просто решил, что оно не надо из за цены, и тогда уж сразу лучше БТ и CMOS спарить развесом. |
|
|
Гость_Максим Зиновьев_* |
8.8.2010, 22:30
Сообщение
#17
|
Гости |
Цитата и тогда уж сразу лучше БТ и CMOS спарить развесом. Согласен. Особенно если ток ключа "набирать". Эр_дс_он - будет выравнивающим резистором, нахаляву, тсз. А цена, думаю, снизится - надо время для распеаривания хорошей штучки. Цитата Да не помню я, ... Коллега, запятая после "не" не пропущена? Ссылка на датащитец, зверюгу звать Hybrid emitter switched bipolar transistor ESBT® 2200V - 7A - 0.07 Ohm power module http://www.st.com/stonline/products/litera.../ste07de220.pdf |
|
|
8.8.2010, 23:18
Сообщение
#18
|
|
Активный участник Группа: шизо Сообщений: 1464 Регистрация: 17.1.2010 Из: Винница Пользователь №: 84 |
Тот на 50А был в четырехногом Super TO247. Но тоже ихний.
Кстати, о потерях переключения здесь ничего не написали. IR в свое время тож провозились намало со своими деталюшками. Они ведь не просто делали детальки, но и активно исследовали их применение. Пара лет работы - и у SТ из этого получится чего-нить толковое. Хай они сбацают на нем хоть киловаттный модуль с КПД повыше, работающий от 380 В. |
|
|
Гость_Максим Зиновьев_* |
8.8.2010, 23:25
Сообщение
#19
|
Гости |
Ага, я уж потом понял, что неудачный датащитец привёл - свитчёвые параметры "т.б.д.".
Кстати, как эту аббревиатуру расшифровать? Нутром чую, что они хотели сказать "мы сами пока не знаем" Цитата Тот на 50А был в четырехногом Super TO247 чёт мне кажется, что есть доля лукавства - 50 А, в "прижимном" 247 корпусе... Мож он меньше киловольта был коллектор-соурс?
|
|
|
8.8.2010, 23:27
Сообщение
#20
|
|
ДИКТАТОР Группа: Мод Сообщений: 23809 Регистрация: 20.11.2009 Из: Житомир Пользователь №: 3 |
Ссылка на датащитец, зверюгу звать Hybrid emitter switched bipolar transistor ESBT® 2200V - 7A - 0.07 Ohm power module http://www.st.com/stonline/products/litera.../ste07de220.pdf Что, померить времена не успели еще? Поторопились сразу публиковать даташит? |
|
|
Текстовая версия | Сейчас: 28.3.2024, 14:09 |