Собственно, сабж.

Представим себе вариант, когда диоды не карбоновые, и IGBT не с положительным ТКН насыщения.
Естественно, один из них норовит взять на себя больше тока, если перегрелся... и перегреться еще больше.
Классика.

В процессе участвуют:
1. тепловое сопротивление кристалл — среда.
2. тепловое дифференциальное сопротивление между кристаллами dT/dP.
3. динамическое сопротивление (dV/dI)
4. статическое как бы сопротивление V/I
5. Как-то там еще влияет , кажется, абсолютная величина мощности...Но не уверен.


Если тепловые сопротивления 1. и 2. весьма велики, динамическое сопротивление 3. весьма мало,
то даже небольшое изменение мощности или температуры вызовет разбаланс токов, который
вызовет соответствующее увеличение разбаланса мощности и процесс приведет, вероятно,
к еще большему разбалансу, по принципу ПОС.

Так вот, как все это посчитать? Кто может?
Или — есть ли где модельки для Микрокапа , чтобы проставить в них тепловые параметры и чтобы соответствовало?
В общем, задача такая - прочувствовать все эти процессы и примерно уяснить, что можно а что нельзя.
Чтобы , к примеру, надеяться на какое-то распределение при распараллеливании, если нужно.